Características:
- Transistor Bipolar (BJT) NPN
- Dispositivo diseñado para operar como amplificador AM/FM y de frecuencia intermedia (IF), oscilador local en sintonizadores FM/VHF, entre otros
- IC: 50 mA
- PD: 310 mW
- VCEO: 18 V, VCBO: 25 V, VEBO: 4 V
- hFE: 97 a 146 (Ranking H)
- FT: 600 MHz mínimo
- VCE(sat): 0.5 V max.
- Encapsulado: TO-92
