Características:
- Transistor Bipolar (BJT) NPN
- Dispositivo diseñado para operar como amplificador de audio y oscilador de alta frecuencia
- IC: 150 mA
- PD: 250 mW
- VCEO: 50 V, VCBO: 60 V, VEBO: 5 V
- hFE: 200 a 400 (Ranking G)
- FT: 300 MHz típico
- VCE(sat): 0.3 V max.
- Código de marcado: C945
- Encapsulado: TO-92
- Complementario: 2SA733
