Características:
- Transistor Bipolar (BJT) NPN de alto voltaje
- IC: 500 mA max.
- PD: 625 mW max.
- VCEO: 300 V, VCBO: 300 V, VEBO: 5 V, max.
- hFE: 80 min. (@ IC=10 mA, VCE=10 V)
- fT: 50 MHz mínimo
- VCE(sat): 0.2 V max. (@ IC = 20 mA)
- Encapsulado: TO-92
- Complementarios: A92, KSP92, MPSA92, NTE288
