Características:
- Transistor Bipolar (BJT) NPN
- Dispositivo diseñado para operar como amplificador de audio
- IC: 500 mA
- PD: 625 mW
- VCEO: 25 V, VCBO: 40 V, VEBO: 5 V
- hFE: 160 a 300 (Ranking D)
- FT: 150 MHz mínimo
- VCE(sat): 0.6 V max.
- Potencia de salida de 1 W en amplificadores con configuración clase B Push-pull
- Encapsulado: TO-92
- Complementario: S8550
