Características:
- Transistor Bipolar (BJT) PNP
- IC: 100 mA
- PD: 450 mW
- VCEO: 45 V, VCBO: 50 V, VEBO: 5 V
- hFE: 200 a 600 (Ranking C)
- FT: 150 MHz mínimo
- VCE(sat): 0.3 V max.
- Encapsulado: TO-92
- Complementario: S9014
Información adicional
| Peso | 0.1 kg |
|---|---|
| Dimensiones | 0.5 × 10 × 7 cm |
