- Transistor Bipolar (BJT) PNP
- Dispositivo diseñado para operar como amplificador de audio
- hFE con buena linealidad
- IC: 500 mA
- PD: 625 mW
- VCEO: 25 V, VCBO: 40 V, VEBO: 5 V
- hFE: 144 a 202 (Ranking H)
- FT: 150 MHz mínimo
- VCE(sat): 1.2 V max.
- Potencia de salida de 1 W en amplificadores con configuración clase B Push-pull
- Encapsulado: TO-92
- Complementario: S9013, SS9013
Información adicional
| Peso | 0.1 kg |
|---|---|
| Dimensiones | 0.5 × 10 × 7 cm |
