- Características:
- Transistor Bipolar (BJT) PNP
- Dispositivo diseñado para operar como amplificador de audio y oscilador de alta frecuencia
- IC: 150 mA
- PD: 400 mW
- VCEO: 50 V, VCBO: 50 V, VEBO: 5 V
- hFE: 200 a 400 (Ranking GR)
- FT: 80 MHz mínimo
- VCE(sat): 0.3 V max.
- Marcado: A1015
- Encapsulado: TO-92
- Complementario: 2SC1815
Additional information
| Weight | 0.1 kg |
|---|---|
| Dimensions | 0.5 × 10 × 7 cm |
