Construcción compacta, detecte la presencia de un objeto utilizando el haz IR reflectante del objeto.
Consiste en un fototransistor.
Especificaciones:
- Distancia de detección: 12 mm.
- Longitud de onda de operación: 950 mm.
- Método de detección: reflexivo.
- Voltaje inverso: 5V.
- Corriente Directa: 60mA.
- Corriente de sobretensión delantera: 3A.
- Disipación de potencia del emisor: 100mW.
- Voltaje del emisor del colector: 70V.
- Voltaje del colector del emisor: 5V.
- Colector actual: 100mA.
- Detección de potencia del detector: 100mW.
- Sensor de disipación de potencia total: 200mW.
- Temperatura de funcionamiento: -25 ° C ~ + 85 ° C.
